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例如，永康T.Garwood等人使用PBE0型杂化计算了InAs/GaSbII型超晶格结构（模型如图6所示）的带隙数据[9]，与试验值非常接近，偏差范围约为3％-11％。观察表2发现GGA-DFT恰当地描述了考虑vdW相互作用时HfS2的高压晶格动力学，第电网而LDA-DFT计算广泛用于预测2D化合物在环境条件下的结构和振动特性，第电网无法再现压缩条件下HfS2的行为，这表明使用DFT-LDA计算TMDCs的压缩性和Grüneisen参数会产生较大的误差[8]。
表1列出了一些已经提出的密度泛函的种类，批配批其中有些是从基本量子力学推出的，有些是通过参数化函数得出的，都有各自的优缺点和适用范围[2]。建设及改表1一些近似的密度泛函种类密度泛函理论发展至今大致可分为三个阶段。ii）对于给定的外势，程项系统基态能量即能量泛函的最小值。
为了克服带隙问题，目核人们在DFT的理论框架内做了大量的努力，目核比如把基于局域有效势的Kohn-Sham理论扩展到了基于非局域有效势的GeneralizedKohn-Sham（GKS）理论，以及其它杂化密度泛函理论，还有一种基于单体格林函数（one-bodyGreensfunction）的多体微扰理论。图1（a）显微表征、浙江造工准获结构、浙江造工准获加工、性质和性能之间的潜在联系，（b）约含2千万个原子的Al-Cu-Mg合金的APT数据，（c）DFT计算的72-atom超晶胞实例泛函是从向量空间到标量的映射，即函数的函数。
第一阶段是1927年，永康Thomas、Fermi基于理想状态下的均匀电子气假设提出了Thomas-Fermi模型，第一次引入了密度泛函的概念，成为后来DFT方法的雏形。
对于Ge、第电网InN等小带隙半导体，从LDA/GGA得到的是金属态，而实验上观测到的却是半导体，这就是所谓的LDA/GGA的带隙问题。6、批配批欧派欧派很注重产品的质量和消费者的口碑，批配批配备了比较完善的售后服务系统，在消费者定制的衣柜中不光保证产品外观的美观还注重结构的稳定，使用的方便，尽大可能提供空间的利用率，本着绿色环保，定做流程简单，消费者全程参与的透明化服务，在定做整体衣柜中占有绝对的优势。
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